台积电目标在2029年实现采用24层HBM堆叠的CoWoS芯片

台积电近日举办台湾地区技术研讨会。据路透社报道，台积电表示，2022至2026年AI加速器晶圆需求预计增长11倍；同时上调全球半导体市场规模预测，预计2030年市场规模将突破1.5万亿美元，高于此前1万亿美元的预估。

据中央通讯社援引台积电亚太业务负责人表述，去年该区域客户折算12英寸等效晶圆消耗量超210万片，垂直堆叠高度可超三座台北101大楼，直观反映AI产业链需求持续高增。

产能规划方面，台积电最先进2纳米及下一代A16芯片制程，2026至2028年复合年增长率预计达70%；CoWoS晶圆基板先进封装产能2022至2027年复合增速超80%。路透社提及，台积电计划2026年推进九期晶圆厂与先进封装设施建设。

海外布局上，台积电亚利桑那厂区持续产能爬坡，首座工厂已投产，第二座工厂将于2026年下半年迁入设备，第三座厂房正在施工，第四座工厂及当地首座先进封装厂预计年内动工。企业预计2026年亚利桑那厂区产能同比提升1.8倍，良率可与台湾地区厂区持平。

技术路线层面，台积电在峰会公布AI长期技术布局。据中时新闻网消息，台积电高层表示，未来AI加速器性能提升，将依赖晶体管工艺、先进封装与高速互联技术融合；AI模型规模持续扩容，也让SoIC、3D IC内存堆叠技术愈发关键。

工商时报数据显示，台积电SoIC互联密度较2015年CoWoS提升56倍、能效提升5倍，一代产品已量产，6微米键合间距版本将于2025年落地。2028年N2制程SoIC将支持6微米堆叠，A14制程进一步推进至4.5微米。

高速互联领域，硅光及台积电COUPE紧凑型通用光子引擎技术，将成为降低AI系统时延与功耗的核心。全球首款基于COUPE的200Gbps微环调制器今年已量产，能效为传统铜互联的4倍，时延降低九成。

封装迭代方面，当前量产5.5倍光罩尺寸CoWoS良率达98%；台积电计划2028年推出14倍光罩版本，可集成20组HBM堆叠，2029年迭代至超14倍光罩、支持24组HBM。此外SoW晶圆级系统技术可集成64组HBM与16个CoWoS模块，纯逻辑SoWP已于2024年量产，集成HBM的SoWX锁定2029年推出。