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这座12英寸晶圆厂,获超526亿增资

来源:全球半导体观察       

晶圆代工大厂台积电美国子公司获75亿美元(约合人民币526.28亿元)增资。

9月23日,中国台湾地区投审会召开第12次会议,会中核准了台积电对美国子公司TSMC ARIZONA CORPORATION(以下简称“TSMC ARIZONA”)的75亿美元增资案。

据悉,TSMC ARIZONA为台积电在美国亚利桑那的子公司,主要负责建设和运营与亚利桑那工厂项目的相关事务。投审会官员表示,当前台积电在美国亚利桑那晶圆厂投资建设12英寸晶圆厂,因有运营资金需求而进行增资。

自2020年5月首次宣布赴美设厂以来,台积电的建厂计划在实施过程中也遇到了挑战,包括工作文化差异以及劳动力竞争等,甚至因此而延迟投产时间。

时隔4年,台积电亚利桑那厂量产时程似乎终于迎来了实质性进展。市场近期传出,台积电亚利桑那州的12英寸工厂Fab 21晶圆厂第一期已经开始试运营。采用N4P制程(台积电将其描述为“5纳米工艺的增强版本”)生产iPhone 14 Pro的A16处理器。

根据资料,台积电规划在美国亚利桑那建设三座晶圆厂,投资总额达650亿美元,投产后将按时间规划相继生产基于4纳米、3纳米、2纳米或更先进制程技术的芯片。

众所周知,当前全球晶圆代工先进制程竞争主要集中在台积电、三星及英特尔等厂商。根据IMEC的预计,全球半导体行业将于2024年进入2nm时代,2028年量产1nm,2030年引入CFET的晶体管结构量产0.7nm,2036年量产2DFET晶体管结构的0.2nm。

其中,台积电先进制程技术正在逐步推进。有行业消息称,台积电已于7月开始在新竹科学园区的宝山晶圆厂风险试产2nm制程,并计划于2025年上半年正式量产。N2为台积电第一个使用GAA纳米片晶体管的节点。

另外,台积电计划于2026年采用Low-NA EUV光刻机相继量产N2P和A16,与N2P相比,A16的功耗降低了20%(在相同的速度和晶体管下),性能提高了10%(在相同的功率和晶体管下),晶体管密度提高了10%。

值得一提的是,今年以来,台积电对TSMC ARIZONA进行了多次增资,而此次是自6月以来第二次获批。

6月底,投审会曾核准台积电对TSMC ARIZONA的增资。当时的增资规模为50亿美元,将用于亚利桑那州12英寸晶圆厂(第二期)建设,主要生产2纳米及3纳米制程;8月,台积电董事会召开会议,在核准2024年第二季度财报的同时,也批准向台积电全资子公司台积电亚利桑那公司注资不超过75亿美元。