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【专题报导】【一周热点】全球闪存厂最新排名;华为自研芯片家族再添新成员

来源:全球半导体观察       

华为自研芯片家族再添新成员

近期,华为召开2019华为开发者大会,会上除了重磅发布备受瞩目的鸿蒙OS外,还正式推出了凌霄WiFi-loT芯片以及鸿鹄818智慧芯片,其自研芯片家族进一步壮大。

2018年,华为推出了自研海思凌霄系列芯片,该系列芯片定位于“家庭高速智能互联”。2018年12月,华为发布的荣耀路由Pro 2就采用了两款凌霄芯片。当时华为透露,未来将推出IoT专用的凌霄WiFi芯片。如今,华为凌霄WiFi-loT芯片正式发布。

在这次大会上,华为宣布荣耀智慧屏将首发鸿鹄818智慧芯片。据介绍,鸿鹄818智慧芯片搭载魔法画质引擎,全方位提升画面清晰度、对比度、色彩表现等;此外,该芯片支持8K@30fps、4K@120fps的超强视频解码能力,并超前支持6400万像素的图片解码等。

至此,华为已公开亮相的自研芯片家族已包括了麒麟系列芯片、昇腾系列芯片、鲲鹏系列芯片、5G系列芯片(巴龙与天罡)、凌霄系列芯片、鸿鹄系列芯片。

SK海力士2030年推800+层堆叠闪存

近期三星宣布推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash,日前SK海力士在“Flash Memory Summit”大会上公布旗下新产品的规划及公司的相关布局。

在研发发展方面,目前SK海力士正在研发176层NAND Flash,而其他产品的发展,包括72层堆叠的4D NAND Flash目前在大规模量产中,96层堆叠的4D NAND Flash目前也在大规模量产中,而且未来产能即将超越72层堆叠的4D NAND Flash。

SK海力士的128层堆叠的4D NAND Flash将于2019年第4季量产,176层堆叠产品2020年问世、500层堆叠产品则将于2025年问世,其TB/wafer容量比将可提升30%。而800+堆叠的4D NAND Flash则是预计2030年问世,TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。

Q2全球闪存厂商营收排名

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,综观2019年第二季NAND Flash(闪存)产业营收表现,以需求面来看,智能手机、笔记本电脑以及服务器需求皆自第一季的传统淡季有所复苏,整体产业位元消耗量成长约15%,但由于供应商仍握有相当高的库存,致使第二季合约价跌幅仍相当显著,整体产业营收仍维持在约108亿美元的水平,较第一季基本持平。

品牌厂商营收方面,三星电子依然位列第一,其第二季营收达37.66亿美元,较第一季成长16.6%;东芝存储器排名第二,其营收较上季衰退10.6%,为19.48亿美元;排名第三的西数整体营收为15.06亿美元,较上季衰退6.5%;美光、SK海力士、英特尔分别以营收14.61亿美元、11.06亿美元、9.4亿美元排名第四、第五、第六。

展望2019年第三季,虽然预期旺季需求有助于出货表现,但受地缘经济冲突影响,恐导致需求表现较往年疲弱,但NAND Flash供给面受到东芝六月跳电事件冲击影响甚巨,使得第三季合约价跌幅明显收敛,而Wafer市场则呈现涨势,预估整体营收较第二季增长的可能性较高。

台积电将投455亿元用于建厂扩产等

8月13日,晶圆代工龙头台积电召开董事会,通过了资本预算和两项人事变动。

会上,台积电核准资本预算约2009.1亿元新台币(约合人民币455亿元),主要用于兴建厂房;建置、扩充及升级先进制程产能;建置特殊制程产能;以及2019年第四季研发资本预算与经常性资本预算。

据了解,目前台积电7纳米制程技术已于去年量产,5纳米制程目前也已完成试产,预计明年第1季量产;产能方面,台积电2厂及5厂厂长简正忠此前预计,2019年台积电总产能将微幅增加2%,扩增至1200万片约当12英寸晶圆。

此外,台积电还在会上核准擢升副财务长黄仁昭先生为台积电副总经理暨财务长兼发言人,自2019年9月1日起生效,同事核准擢升研发组织先进设备暨模组发展二处资深处长章勋明先生为副总经理。

士兰微厦门12英寸产线最新进展

厦门日报消息显示,8月13日厦门市建设局召开2019厦门市重点项目建设新闻发布会,通报1-7月全市重点项目建设进展情况。报道指出,厦门产业项目加快落地建设,通富微电子、士兰微半导体芯片制造生产线、金牌橱柜四期等项目加快推进。

其中,士兰微12英寸特色工艺芯片项目计划投资70亿元,目前厂房桩基施工已完成,主体施工已进场;先进化合物半导体项目计划投资50亿元,目前工艺设备正陆续安装调试。

根据此前报道,士兰微拟加速推进在厦门化合物半导体芯片及12英寸特色工艺半导体芯片制造生产线建设,并分别计划在今年第四季度和明年试投产。

2017年12月,厦门市海沧区政府与士兰微在海沧共同签署战略合作框架协议,拟在海沧建设两条12英寸特色工艺芯片制造生产线及一条先进化合物半导体器件生产线,2018年10月项目正式动工。

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