2023-08-31
据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露，三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星...
2023-08-30
TrendForce集邦咨询表示，预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续，尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确...
2023-08-17
8月16日，全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技向迈凌科技（MaxLinear Inc.）发布书面通知，终止2022年5月5日双方所签订的合并...
2023-08-17
8月初媒体报道三星正积极投入产品研发，预计2024年推出的第九代3D NAND将达280层，第十代3D NAND将跳过300层区间达430层...
2023-08-15
据行业媒体消息，为了克服低迷的存储器市场状况，三星电子计划停止其位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备。据ZDNet Korea报道...
2023-08-11
SK海力士11日宣布，公司开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAM（内存） LPDDR5X*(Low Power Double Data...
2023-08-10
半导体下行周期之际，AI大势下HBM发展风生水起，并为DRAM市场注入了活力。与之相比，NAND Flash市场需求持续萎缩。为应对需求“寒冬...
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