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半导体市场冰火两重天;NAND Flash现货市场出现短期涨势;原厂企业级SSD营收排名出炉

近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到Wafer合约价成功拉涨消息带动,部分品项出现较积极询价需求。市场详情据TrendForce集邦咨询了解...

DRAM 半导体 NAND Flash

一周热点

原厂成功拉涨Wafer合约价,现货市场出现短期涨势|TrendForce集邦咨询

近期NAND Flash现货市场颗粒报价受到wafer合约价成功拉涨消息带动,部分品项出现较积极询价需求。市场详情据TrendForce集邦咨询了解...

NAND Flash

市场观察

传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层?

据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露,三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星...

三星 闪存芯片 NAND Flash

存储器

历经2023年低基期,预估明年DRAM、NAND Flash需求位元将同比增长13%及16%|TrendForce集邦咨询

TrendForce集邦咨询表示,预期2024年存储器原厂对于DRAM与NAND Flash的减产策略仍将延续,尤其以亏损严重的NAND Flash更为明确...

DRAM NAND Flash

市场观察

外媒:存储大厂目标年底NAND库存正常化

据韩媒引述业内人士21日透露,三星已制定生产计划,目标年底NAND库存正常化,即6-8周...

三星 NAND Flash 闪存

存储器

慧荣科技终止与迈凌合并协议!

8月16日,全球NAND闪存主控芯片供应商慧荣科技向迈凌科技(MaxLinear Inc.)发布书面通知,终止2022年5月5日双方所签订的合并...

NAND Flash 半导体存储器 SSD主控芯片

存储器

SK海力士之后,三星300层以上NAND Flash何时亮相?

8月初媒体报道三星正积极投入产品研发,预计2024年推出的第九代3D NAND将达280层,第十代3D NAND将跳过300层区间达430层...

三星 闪存芯片 NAND Flash

存储器

三星或计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

据行业媒体消息,为了克服低迷的存储器市场状况,三星电子计划停止其位于韩国平泽市P1工厂的部分NAND闪存生产设备。据ZDNet Korea报道...

三星 闪存芯片 NAND Flash

存储器

SK海力士量产全球最大容量的24GB LPDDR5X DRAM

SK海力士11日宣布,公司开始向客户提供应用于智能手机等移动产品的高性能DRAM(内存) LPDDR5X*(Low Power Double Data...

DRAM SK海力士 NAND Flash

存储器

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