2017-11-27
11月24日，紫光国芯发布公告称，为满足公司未来持续发展的需要，公司拟充分利用成都高新区在人才资源、产业环境等方面的资源优势，由全资子公司成都国微科技有限公司（以下简称“成都国微科技”） 在成都投资建设成都研发中心项目，项目总投资约5.97亿元人民币， 将建成集研发、测试等于一体的研发平台。
2017-11-22
近日，紫光国芯在接受信达证券等机构调研时表示，正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发，第四代产品容量更大、集成度更高、读写速度更快，预计明年开始进入市场。
2017-08-23
8月21日晚，据紫光国芯发布的2017上半年财报显示，公司上半年盈利1.23亿元，同比下降17.86%。新产品开发方面，紫光国芯最新开发完成的NAND Flash已经开始了市场推广，下一代DRAM产品开发进展顺利。
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