总投资不低于80亿 国民技术化合物半导体生态产业园项目落户成都

8月15日，国民技术股份有限公司（以下简称“国民技术”）召开第三届董事会第二十一次会议，会上通过了两则议案，一则是《关于全资子公司签订投资协议的议案》、另一则是《关于全资子公司对外投资设立合资公司的议案》。

根据投资协议议案，国民技术董事会同意通过全资子公司深圳前海国民投资管理有限公司（以下简称“国民投资”）与成都邛崃市人民政府签订《化合物半导体生态产业园项目投资协议书》。

国民技术公告显示，国民投资将组织相关产业投资基金及产业投资者在天府新区邛崃产业园（成甘工业园）投资建设“化合物半导体生态产业园”，初步规划总投资将不少于人民币80亿元。项目共分两期进行，一期项目投资50亿元，二期投资30亿元，计划三年初具规模，五年实现产能。

其中第一期完成项目核心基础能力层的构建，主要引进和建设6英寸第二代和第三代半导体外延片子项目、及其上下游相关子项目；后续将围绕物联网和信息安全市场等核心应用进行布局。

据悉，该项目选址天府新区邛崃产业园区（成甘工业园）横四线以南、纵七线以西、纵八线以东、成新蒲快速路以北区域内，项目计划用地约1400亩（一期900亩，二期500亩）。

采用“统一设计、整体规划、多维、分层分期建设、统一管理”的发展模式。以第二/三代化合物半导体外延片材料为核心基础，围绕相关应用，向上游辐射半导体单晶材料，向下游带动高端芯片、功率器件、高能电源、传感器、射频模组和终端整机等产品，打造化合物半导体产业链生态圈。

此外，为建设和运营该产业园项目，国名技术还计划与陈亚平、重庆西证渝富股权投资基金管理有限公司（以下简称“西证渝富”，为“西证渝富-国民技术产业投资基金”（暂定名，发起筹备中，下称“基金”）的基金管理人）、四川通利能光伏科技有限公司（以下简称“通利能”），共同发起成立一家合资公司（暂定名“成都国民天成化合物半导体有限公司”）。

Source：国民技术公告

据悉，该合资公司拟注册资本2亿元，其中国民投资出资5000万元，占合资公司注册资本的25%；陈亚平出资4000万元，占合资公司注册资本的20%；西证渝富出资1亿元，占合资公司注册资本的50%；通利能出资1000万元，占合资公司注册资本的5%。

值得注意的是，陈亚平技术团队拟出资的6项第二/三代集成电路外延片制造专有生产工艺技术所有权市场价值为5400万元人民币，相关技术包括：6英寸GaAsHBT集成电路外延制造技术、6英寸GaAs p-HEMT集成电路外延制造技术、6英寸GaN HEMT (GaN-on-Si)集成电路外延制造技术6英寸GaN HEMT (GaN-on-SiC)集成电路外延制造技术等6项技术。

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