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【IC设计】华润上华成功开发第三代0.18微米BCD工艺平台

来源:华润微电子       

2018年11月5日,华润微电子有限公司(“华润微电子”)旗下的华润上华科技有限公司(以下简称“华润上华”)宣布,公司已成功开发出第三代0.18微米BCD工艺平台。新一代BCD工艺平台在降低导通电阻的同时,提升了器件的可靠性,降低了工艺成本,可覆盖7V-40V的宽工作电压范围,为电源管理IC的设计提供了有竞争力的工艺方案。

华润上华第三代0.18微米BCD工艺基于大量的仿真和流片数据,对高压器件结构进行优化,将综合性能做到业界领先水平。其中30V nLDMOS的击穿电压达到50V,导通电阻仅为 15 mohm*mm^2,相比第二代0.18微米BCD工艺在品质因子 (Ron*Qg)指标上优化25%。新一代BCD工艺平台提供了BJT、Poly电阻、Zener、SBD等种类丰富的寄生器件,以及针对不同工作电压的ESD保护方案。目前已有手机、安防监控、消费电子等多个领域的客户在该平台导入产品,器件性能得到国内外多家客户的一致认可。

作为国内领先的模拟晶圆代工厂,华润上华在BCD工艺平台上已耕耘多年,具有丰富的量产经验,从6英寸生产线到8英寸生产线,从1μm延伸至0.18μm,在各个节点上可满足客户对电源管理芯片设计的全方位需求。

华润上华市场销售副总经理邵军表示:“我们期待第三代0.18微米BCD工艺平台能为客户提供更高性价比的方案。未来,华润上华还将持续精进,不断提升BCD工艺平台的竞争力,满足客户在电源管理芯片上的多种需求。”

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