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【IC设计】格芯推出业界首个300mm 硅锗晶圆工艺技术

来源:GLOBALFOUNDRIES       

格芯今天宣布其先进的硅锗(SiGe)产品9HP目前可用于其300mm晶圆制造平台的原型设计。这表明300mm生产线将形成规模优势,进而促进数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长。借助格芯的300mm专业生产技术,客户可以充分提高光纤网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达等高速应用产品的生产效率和再现性能。

格芯是高性能硅锗解决方案的行业领导者,在佛蒙特州伯灵顿工厂用200mm生产线进行生产。将9Hp(一种90nm 硅锗工艺)迁移至纽约州东菲什基尔的格芯Fab 10工厂实现300mm晶圆生产技术,将会保持这一行业领先地位,并奠定300mm晶圆工艺基础,有助于进一步发展产品线,确保工艺性能持续增强和微缩。

「高带宽通信系统日益复杂,性能需求也随之水涨船高,这些都需要更高性能的芯片解决方案,」格芯的RF业务部副总裁 Christine Dunbar表示。「格芯的9HP旨在提供出色的性能,其300mm生产工艺将能够满足客户的高速有线和无线组件需求,助力未来的数据通信发展。」

格芯的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势,支持微波和毫米波频率应用高数据速率的大幅增长,适用于下一代无线网络和通信基础设施,如 TB级光纤网络、5G毫米波和卫星通信(SATCOM)以及仪器仪表和防御系统。该技术提供出色的低电流/高频率性能,改善了异质结双极晶体管(HBT)性能,与之前的硅锗 8XP和8HP相比,最大振荡频率(Fmax)提高了35%,达到370GHz。

在纽约东菲什基尔的Fab 10工厂,正在进行基于多项目晶圆(MPW)的9HP 300mm工艺客户原型设计,预计2019年第二季度将提供合格的工艺和设计套件。
图片声明:图片来源正版图片库:拍信网

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