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【半导体/IC】三星官宣:完成5纳米EUV工艺研发,将向客户提供样品

来源:全球半导体观察       


4月16日,三星官网发布新闻稿,宣布已经完成5纳米FinFET工艺技术开发,现已准备好向客户提供样品。

与7纳米工艺相比,三星的5纳米FinFET工艺技术提供了高达25%的逻辑面积效率提升。同时由于工艺改进,其功耗降低了20%、性能提高了10%,从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构。

跨越到5纳米工艺,除了在功率性能区域(PPA)的数据提高之外,客户还可以充分利用EUV(极紫外光刻)技术,推动产品接近性能极限。

除此之外,还可以将7纳米的相关知识产权重用到5纳米工艺上,使得客户从7纳米向5纳米过渡时可以大幅降低成本,缩短5纳米产品的开发周期。

三星表示,自2018年第四季度以来,三星5纳米产品就拥有了强大的设计基础设施,包括工艺设计工具、设计方法、电子设计自动化工具和IP。此外,三星晶圆厂已经开始向客户提供5纳米多项目晶圆服务。

2018年10月,三星宣布将首次生产7纳米制程芯片,这是三星首个采用EUV光刻技术的产品。目前,三星已于今年年初开始批量生产7纳米芯片。

除了7纳米与5纳米之外,三星还在与客户开发6纳米芯片,同样是一种基于EUV技术的芯片产品。

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