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【IC设计】IPO申请获受理 瑞能半导体闯关科创板

来源:全球半导体观察    原作者:张明花    

完成上市辅导后,日前,瑞能半导体科技股份有限公司(以下简称“瑞能半导体”)继续推动其IPO进程。据上交所披露,8月18日,瑞能半导体的科创板上市申请获受理,其IPO征途踏出重要一步。

资料显示,瑞能半导体成立于2015年8月,主要从事功率半导体器件的研发、生产和销售,是一家拥有芯片设计、晶圆制造、封装设计的一体化经营功率半导体企业,主要产品包括晶闸管和功率二极管等,广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。

业务承继自恩智浦 晶闸管市占率位列前茅

根据招股书,2015年,南昌建恩、香港建恩、恩智浦共同出资设立瑞能半导体有限公司(以下简称“瑞能有限”),随后瑞能有限历经了四次股权转让及一次增资,在这期间恩智浦退出了其股东阵营。2019年6月,瑞能有限整体改制为股份有限公司。

截至招股书签署日,瑞能半导体的前三大股东为南昌建恩、北京广盟、天津瑞芯,持股比例分别为24.29%、24.29%、22.86%。建广资产通过担任上述三大股东的执行事务合伙人能够在瑞能半导体股东(大)会层面有权以私募基金名义行使71.44%的股东表决权,为瑞能半导体的间接控股股东。建广资产无实际控制人,因此瑞能半导体无实际控制人。据了解,建广资产是一家专注于集成电路产业与战略新兴产业投资并购的基金管理公司。

招股书介绍称,瑞能半导体的业务承继自恩智浦,恩智浦原双极业务资产通过重大资产重组的方式进入瑞能半导体主体内。2015年9月,瑞能有限与恩智浦签署业务转让主协议及补充协议,约定由瑞能有限及其名下主体受让恩智浦旗下的双极业务资产,包括恩智浦持有的吉林瑞能的全部股权、双极业务相关的存货、固定资产、后端制造业务资产、知识产权等。

目前,瑞能半导体已在功率半导体行业内占据一定的技术优势和市场地位。招股书引用相关统计数据称,2019年度瑞能半导体晶闸管产品的市场占有率,在国内排名第一、全球排名第二。该公司提供的功率半导体器件组合已应用至众多全球知名客户,包括惠而浦、伊莱克斯、惠普、海尔、美的、格力、台达、ABB、施耐德、霍尼韦尔、通用电气、海拉电子、特锐德、上能电气、中恒电气、博世等各领域企业。

技术方面,招股书介绍称,瑞能半导体自主研发的晶闸管平面制造技术和功率快恢复二极管的先进载流子寿命控制技术均处于行业内优势地位;其掌握的碳化硅二极管产品设计技术对标英飞凌和科锐等碳化硅领域国际领先企业,生产工艺由4寸提升至6寸,可以应用于新能源及汽车等领域,产品已被台达、光宝、格力等知名企业验证使用。

2017年度、2018年度、2019年度、2020年1-3月,瑞能半导体的营业收入分别为6.19亿元、6.67亿元、5.88亿元、1.40亿元;归母净利润分别为8775.98万元、9493.04万元、8610.88万元、1898.70万元;主营业务的综合毛利率分别为43.59%、42.30%、45.20%、40.80%;研发费用占营收的比例分别为3.96%、3.54%、5.47%、4.90%。

募资6.73亿元  加码MOSFET、IGBT/IPM、碳化硅等

根据招股书,瑞能半导体本次拟公开发行股数不超过3010万股,不低于本次发行后总股本的25%,拟募集资金6.73亿元,将按轻重缓急投资于C-MOS/IGBT-IPM产品平台建设项目、南昌实验室扩容项目、研发中心建设项目、发展与科技储备资金。

其中,C-MOS/IGBT-IPM产品平台建设项目的募集资金使用金额为2.16亿元,围绕功率半导体领域,规划建设硅基MOSFET、IGBT/IPM功率器件产品平台。瑞能半导体表示,本项目的实施将扩充公司的产品种类,优化公司的产品结构,为公司盈利规模的持续扩大提供增长点,在提升公司经济效益的同时,提高了公司产品的综合竞争实力。

南昌实验室扩容项目的募集资金使用金额为6310.81万元,将在公司现有南昌实验室的基础上进行扩容建设,通过增加可靠性测试和失效性分析相关的检测分析设备投入,优化实验环境,提升测试与分析的能力和效率,从而进一步保障产品质量、吸引高端人才,促进业务高质量发展。

研发中心新建项目的募集资金使用金额为9313.51万元,将布局碳化硅功率器件等功率半导体行业内的新技术领域,通过引进高技术人才、增加与外部机构研发合作等方式,进一步加强公司研发团队及研发平台的实力,以保持公司产品在核心技术方面的优势地位,为公司业务中长期的可持续发展奠定基础。

发展与科技储备资金的募集资金使用金额为3.00亿元,将结合公司的经营需要和战略规划的资金需求,以提升公司的竞争力,具体用途包括车用碳化硅模块研发及产业化项目、IGBT模块研发及产业化项目、新一代碳化硅器件研发及产业化项目以及运营资金。

未来发展战略方面,招股书指出,瑞能半导体将进一步完善全系列晶闸管和功率二极管器件的研发,开展新一代碳化硅半导体芯片及器件的研发,积极推进以MOSFET和IGBT为代表的功率半导体器件的研发和生产。

对于本次首次公开发行并上市,瑞能半导体表示将为实现发展规划和业务目标提供有效的资金保障,保证公司对研发软硬件、开发新产品及其应用、提升技术实力、扩大生产规模、开拓市场、人才培养等各方面的投入等。

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封面图片来源:拍信网