注册

【IC设计】功率驱动芯片、固态存储控制芯片等半导体项目荣获国家级大奖

来源:全球半导体观察       

2021年11月3日,2020年度国家科学技术奖奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。

据悉,本次技术奖共评选出264个项目,包括46项国家自然科学奖项目、61项国家技术发明奖项目、157项国家科学技术进步奖项目,包括半导体产业链多个项目,如“高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目、“固态存储控制器芯片关键技术及产业化”项目、“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目、以及“超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材制备技术及应用”项目等。

“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目

“高密度高可靠电子封装关键技术及成套工艺”项目荣获国家科技进步一等奖。该项目由华中科技大学,华进半导体,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,长电科技,通富微电,华天科技,苏州旭创,中国电子科技集团公司第五十八研究所,香港应用科技研究院有限公司,武汉大学等联合参与完成。

据悉,针对高密度芯片封装翘曲和异质界面开裂导致的低成品率,项目团队提出了芯片-封装结构及工艺多场多尺度协同设计方法和系列验证方法,应用于5G通讯等领域自主可控芯片的研制,攻克了晶圆级扇出封装新工艺,突破了7nm CPU芯片封装核心技术。

此次获奖项目解决了电子封装行业知识产权“空心化”和“卡脖子”难题,占领了行业技术制高点,实现了高密度高可靠电子封装从无到有、由传统封装向先进封装的转变。

此外,项目完成单位与国内企业合作研制了系列封装及检测设备,建立了多条封装柔性产线;300多类产品覆盖通讯、汽车、国防等12个行业。

“固态存储控制器芯片关键技术及产业化”项目

据悉,“固态存储控制器芯片关键技术及产业化”项目荣获国家科技进步二等奖,由杭州电子科技大学,华澜微电子,中国电子科技集团公司第五十八研究所,清华大学,西安奇维科技,西京学院主要完成。该项技术是新一代电脑硬盘、大数据存储系统的芯片级硬科技,已经得到了国产化推广应用。

过去,电脑硬盘领域被美国、日本公司垄断,尤其是西部数据(WD)和希捷(Seagate)牢牢占据着全球第一、第二硬盘公司的地位。最近十年,固态存储技术(即半导体存储技术)发展迅猛,产业规模达到了千亿美元。数码相机替代胶卷、U盘替代磁盘,到最近的固态硬盘(半导体芯片为存储媒介)替代传统的机械硬盘(以磁盘为存储媒介),全球数据存储产业正在一波波地更新换代。

据华澜微官微介绍,“固态存储控制器芯片关键技术及产业化”项目从2005年开始,历时十多年研制成功我国第一颗固态硬盘控制器芯片,并进一步实现了系列固态存储产品的国产化。项目团队解决了高速计算机接口核心技术的国产化问题;突破了固态硬盘容量的瓶颈、达到业内最高容量;提出了高速、无损的物理层数据加密关键技术,为我国的信息安全提供了芯片级安全保障。

“高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目

“高压智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”项目获得技术发明二等奖。该项目由东南大学,无锡华润上华、无锡芯朋微电子、无锡新洁能股份参与完成,致力于解决高压智能功率驱动芯片设计与制备的核心技术难题。

功率芯片是功率电子系统的“核芯”,广泛应用于智能制造、新能源交通、电力装备、智能家居等领域,是国家新基建部署和实施的底层保障与基础支撑。当前全球功率半导体芯片市场规模超400亿美元,其中中国占比超1/3。

据东南大学介绍,项目参与方设计并制备了80余款高压智能功率驱动芯片,被100余家国内外公司采用。目前,研制的芯片已应用于“世界首条350公里时速智能高铁—京张高铁”空调系统,支持了我国自主知识产权的高铁发展。

东南大学表示,项目的成功推动了我国高压智能功率驱动芯片的发展,实现了从依赖进口到自主可控并服务全球的重要转变。同时,在项目研发过程中,为国家培养了一批高层次集成电路专门人才,践行了“政产学研用”发展模式。该项目成果实现了我国高压智能功率驱动芯片从依赖进口到自主可控并服务全球的重要转变。

“超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材制备技术及应用项目”

“超高纯铝钛铜钽金属溅射靶材制备技术及应用项目”荣获国家技术发明二等奖,由江丰电子和重庆大学完成。

在与重庆大学合作下,江丰电子攻克了芯片制造所需的关键材料——超高纯金属溅射靶材在形变热加工过程中的精细调控、异种金属高结合率焊接、金属熔炼提纯以及靶材的精密机加工等多项关键核心技术,开发出用于芯片制造的超高纯金属溅射靶材的全套生产工艺。

该项目创新了超高纯金属溅射靶材晶粒尺寸及织构控制技术、异种金属大面积焊接技术、精密机加工及表面处理术、全系列分析检测与评价技术,成功制备出超高纯金属溅射靶材,产品具有良好的稳定性和一致性,建成了年产五万枚靶材的生产基地,具有显著的经济效益。同时,该项目填补了国内靶材产业空白,该项目对提升我国集成电路、平板显示工艺及材料技术的自主创新能力,推动和发展我国电子信息产品的技术进步和产业安全起到了重要作用。

封面图片来源:拍信网