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【IC设计】总投资额不低于150亿,广东光大第三代半导体项目签约东莞

来源:全球半导体观察       

12月9日,在松山湖建园20周年“改革、创新、再出发”大会上,一批重大项目签约落户,总投资金额超246亿元人民币,涉及半导体、新材料、生物医药、智能制造等新兴产业领域。

南方Plus报道称,本次签约的半导体项目包括光大第三代半导体项目、广东赛微微电子项目等。

其中,广东光大第三代半导体科研制造中心项目投资总额不低于150亿元,用地总面积约803.1亩,主要从事Mini/Micro LED显示产业化项目。其中,一期项目总投资100亿元,用地面积约390亩,建筑面积为578802.02平方米,以集团旗下广东中民工业技术创新研究院为研发核心,搭建全国领先的先进半导体技术研发与孵化平台,建设国内唯一涵盖衬底、芯片、模组封装等全产业链的半导体项目,打造先进半导体产业科研制造中心。

广东赛微微电子股份有限公司拟投资1.5亿元用于“新能源电池管理芯片研发项目”,项目达产后将新增10亿元年产值。该项目将在公司现有的核心技术基础上,对电化学储能、新能源汽车电池管理系统等新能源领域的前沿电池管理芯片进行研发并实现产业化。

通过项目的实施,一方面紧跟全球电池管理芯片的主流技术发展趋势,增强公司核心技术竞争力与品牌影响力;另一方面把握住我国新能源市场需求快速增长以及“双碳战略”实施的市场机遇,拓宽公司产品市场覆盖面,推动主营业务的持续健康发展。

封面图片来源:拍信网