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【IC设计】小米自研澎湃P1芯片被传是贴牌?南芯半导体回应

来源:全球半导体观察    原作者:Flora    

近期,网络上出现“小米澎湃P1充电芯片是买成品贴牌”的传闻,对此小米代工厂商上海南芯半导体(以下简称“南芯半导体”)2月8日发表了澄清说明,正式做出回应。

南芯半导体指出,小米澎湃P1充电芯片由小米自研设计、南芯半导体代工,内部代号为SC8561,实现120W单电芯充电,具备超高压4:1充电架构,可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。

南芯半导体去年9月发布的充电芯片代号为南芯SC8571,为超高压4:2充电架构,可实现120W双电芯充电,南芯半导体表示,两款芯片拓扑结构完全不同,是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。

资料显示,澎湃P1是小米第三颗自研芯片,于2021年12月28日亮相,搭载在小米12 Pro年度旗舰智能手机上。

小米董事长兼CEO雷军介绍,澎湃芯片P1历经18个月研发,实现了120W单电芯解决方案,难度远超过120W双电芯方案:电路设计复杂2倍,模式切换控制逻辑复杂7倍,启动和保护电路复杂9倍,驱动电路设计复杂6倍。

在澎湃P1芯片发布之前,小米还推出过澎湃S1、澎湃C1自研芯片,澎湃S1是手机SOC芯片,采用28纳米工艺,定位中端,搭载在小米5C手机上。

澎湃C1是ISP(图像信号处理)芯片,搭载在小米首款折叠屏手机MIX FOLD上,该款芯片拥有双滤波器配置,可以实现高低频信号并行处理,同时配合自研算法,可将影像的3A(AF、AWB、AE)表现大幅提升。