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【IC设计】三星3纳米芯片正式出货

来源:全球半导体观察整理       

据韩联社报道,三星首批3纳米芯片已完成生产,并于25日在韩国华城园区厂举行出货仪式。三星表示,该公司在全球先进芯片制程竞赛中,率先取得重要里程碑。

不过,三星并未公布首批3纳米芯片的客户。此前,有媒体报道称,消息人士透露,三星称已经有客户订购产能,包括虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体 (PanSemi),以及移动处理器大厂高通 (Qualcomm) 等,不过高通将视情况进行投片。

据悉,三星于今年6月底正式宣布,开始初步生产基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称GAA)制程工艺节点的芯片,首先将应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片,并计划将其扩大至移动处理器领域。

官方介绍称,与三星5nm工艺相比,三星第一代3nm工艺可以使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%;三星表示,未来第二代3nm工艺将使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。

封面图片来源:拍信网