世界先进0.35微米650 V氮化镓制程正式量产

来源：全球半导体观察整理 2022-11-22 16:14:03

世界先进今（22）日宣布，其领先的八英寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST）已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产，为特殊集成电路制造服务领域首家量产此技术的公司。

世界先进指出，2018年以Qromis基板技术（简称QST TM）进行八英寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程开发，于今年第一季开发完成，于第四季成功量产，世界先进同时已和海内外整合元件制造（IDM）厂及IC设计公司展开合作。

据悉，世界先进0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件选择外，也提供内建静电保护元件（ESD），客户得以更便利的进行设计选择。此外，该制程除具备更优异的可靠性与信赖性，针对更高电压（超过1000 V）的扩充性，世界先进也已经与部分客户展开合作，以满足客户的产品需求。

封面图片来源：拍信网

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