次世代存储器要来了台积电三星英特尔“同台竞技”

来源：钜亨网原作者：许光吟 2017-04-28 09:06:00

《韩国经济日报》报导，传三星电子(Samsung Electronics)已在磁阻式随机存取存储器(MRAM)取得重大进展，市场估计在5月24日的一场晶圆厂商论坛上，三星电子将会发布该公司所研发的MRAM存储器。

由于标准型存储器DRAM、NAND Flash等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代存储器“磁电阻式随机存取存储器(MRAM)”，与含3D XPoint技术的“相变化存储器(PRAM)”及“电阻式动态随机存取存储器(RRAM)”。

上述三类次世代存储器皆具有非挥发性存储器技术，兼具高效能及低耗电之特性，估计这类次世代存储器处理速度，将比一般闪存存储器还要快上十万倍。

目前三星电子正大力发展MRAM存储器，而另一半导体巨擘英特尔(INTC-US)则是强攻含3D XPoint技术的PRAM型存储器。

全球最大半导体代工厂台积电亦曾在4月13日对外说明，台积电绝对不会踏入标准型存储器领域，因为台积电目前已具备“量产”MRAM及电阻式动态随机存取存储器(RRAM)等新型存储器之技术。

据韩国半导体业内人士透露，全球半导体巨擘正在次世代存储器市场内强力竞争，这很可能将全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。

《韩国经济日报》表示，磁电阻式随机存取存储器(MRAM)、相变化存储器(PRAM)、电阻式动态随机存取存储器(RRAM)等三大次世代存储器中，又以MRAM的处理速度最快，但也是最难量产的存储器类型。

据了解，目前欧洲最大半导体商恩智浦半导体(NXPI-US)已经决定采用三星电子的MRAM存储器，以应用在相关的物联网装置之上。

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