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【存储器】力晶黄崇仁谈DRAM:未来几年都会缺货

来源:联合新闻网    原作者:简永祥    

力晶集团董事长黄崇仁昨(31)日表示,DRAM制程技术已率先达到摩尔定律极限,加上大陆仍难突破三大厂的技术防线,在新应用需求快速成长,他预料未来几年,DRAM都会缺货,产业荣景会持续下去,绝不会只有两年。

力晶黄崇仁谈DRAM:未来几年都会缺货

面对大陆大举投入发展存储器产业,黄崇仁认为,大陆已和美国达成协议,会尊重美国知识产权及保护美国企业的营业秘密,大陆不可能去偷技术,而且DRAM和晶圆代工的学习曲线长,挖人才只能缩短学习曲线,加上大陆新增一座厂投资,产出的成本是台湾地区的两倍,预料仍难和台商竞争,换言之,台湾DRAM厂仍会扮演重要供应地位。

黄崇仁表示,目前DRAM制程推进到1x纳米,已遭遇摩尔定律的极限,加上新建一座月产4万片的DRAM厂,高达50亿美元,金额相当惊人,生产的成本也将是目前台厂的两倍,他估算台厂生产一颗DRAM,成本约1.2美元,但采用新设备制程的成本超过2美元。

他强调,日前三星宣布在西安厂增建存储型快闪存储器(NAND Flash),未对DRAM有更进一步扩建,原因是DRAM制程已到瓶颈,三大厂往1x纳米微缩,须投入更多资金升级设备,产出的成本反而比20纳米高,因此可预期未来三大DRAM厂在DRAM的投资会节制,不会轻易改变目前稳定获利的模式。

但DRAM的需求面,因近5年未见大规模新增产,供给已于去年下半年出现缺口,这还不包括未来物联网及5G,还有数据中心大量建置,需求更庞大的服务器以因应更大量的运算和影像存储需求,若再加汽车电子导入更多的影像传感,须搭配更多的存储运算,未来DRAM会一直缺货,除非三大厂打破供需平衡默契,否则荣景会持续下去,绝不会只有两年。

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