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台积电首次揭露次世代存储器研发进程 明后年风险生产

来源:联合新闻网    原作者:简永祥    

晶圆代工大厂台积电和三星的竞争,现由逻辑芯片扩及存储器市场。台积电这次重返存储器市场,瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代存储器,因传输速度比一般快闪存储器快上万倍,是否引爆存储器产业的新潮流,值得密切关注。

台积电技术长孙元成日前在台积电技术论坛,首次揭露台积电研发多年的eMRAM(嵌入式磁阻式随机存取存储器)和eRRAM(嵌入式电阻式存储器)分别订明后年进行风险性试产,主要采用22纳米制程,这将是台积电因应物联网、移动设备、高速运算电脑和智能汽车等四领域所提供效能更快速和耗电更低的新存储器。

这也是台积电共同执行长魏哲家向法人表达不会跨足标准型存储器,不会角逐东芝分割成立半导体公司股权后,台积电再次说明存储器的战策布局,将瞄准效能比一般DRAM和存储型快闪存储器(NAND Flash)的MRAM和RRAM。

稍早三星电子也在一场晶圆厂商论坛中发表该公司所研发的MRAM。三星目前也是全球中率先可提供此次世代存储器产品的存储器厂,产品技术时程大幅领先台积电,三星的MRAM并获恩智浦导入。

据了解,台积电早在2000年就和工研院合作投入MRAM等次世代存储器研发,多年来因难度高,商业化和竞争力远不如DRAM,导致多家厂商都都仅限于研发。

存储器业者表示,次世代存储器中,投入研发的厂商主要集中MRAM、RRAM及相变化存储器(PRAM)等三大次世代存储器,其中以MRAM的处理速度最快,但也是最难量产的存储器类型。

不过,在DRAM和NAND Flash制程已逼近极限,包括无人车、AI人工智能、高端智能手机和物联网等要求快速演算等功能的情况下,台积电认为商机即将成熟并决定在2018及2019年提供相关嵌入及整合其他异质芯片技术,进行商业化量产。

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