SK海力士2017年将扩大投资 希望继续掌握市场竞争优势

根据韩国媒体《每日经济》的报导指出，面对当前存储器市场不论DRAM，或是NAND Flash快闪存储器供不应求的情况，韩国存储器大厂SK海力士预计将在2017年下半年开始，提高1x纳米生产制程的DRAM生产比例。另外，还将持续增加14纳米制程的NAND Flash产量。目的在于以更具优势的成本竞争力，达到获利提升的目的。

报导中进一步表示，在当前行动通讯设备对DRAM及NAND Flash产品的容量持续增加，并且受惠于大数据的应用普及、人工智能与机器学习的快速发展，也使得云端资料中心的服务器需求增加，带动DRAM、固态硬盘（SSD）需求提升的情况下，市场上对于存储器的需求自2016年中以来热度持续不减，造成供应量的不足，并导致价格的上扬。

鉴于市场上的需求，各家存储器大厂纷纷提供投资金额，扩大产能，以争取市场商机。其中，SK海力士在2016年的总投资规模达到6.29万亿韩元，而2017年投资金额预估更加达到9.6万亿韩元（约86.1亿美元），并且计划在2019年6月底前，投资2.2万亿韩元用于韩国清州兴建NAND Flash快闪存储器工厂。

另外，在产品的研发上，2016年SK海力士总计斥资了占营收12.2%，金额达到2.1万亿韩元的研究经费。其成果，除了在2017年1月推出全球最高容量的超低功耗移动设备DRAM–LPDDR4X之外，也在4月份推出可作为人工智能、虚拟现实、自动驾驶、以及4K以上高画质显示器用存储器的超高速绘图DRAM–Graphics DDR6。

至于，在NAND Flash快闪存储器的产品上，2017年SK海力士成功开发出72层堆叠，比上一代48层堆叠芯片运作速度提升2倍，读写性能也拉升20%的3D NAND Flash之后，已经在7月份开始进行量产。据了解，72层堆叠比上一代48层堆叠的NAND Flash快闪存储器生产效能提高30%。而针对市场上对SSD硬盘的需求，SK海力士也推出搭载自主研发控制器的移动设备用eMMC产品，以及PCI介面SSD固态硬盘，提升SK海力士在3D NAND Flash快闪存储器产品上的竞争力。

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