SK海力士砸钱扩产！3D NAND恐过剩、DRAM涨势划句点？

存储器进入制程转换，产能大减，从去年下半年到今年上半年以来，DRAM均价飙升17%、NAND均价攀涨12%，难怪业者无不砸钱扩产。

韩媒etnews报导，韩国存储器大厂SK海力士（SK hynix）26日表示，今年将斥资86.1亿美元（约9.6万亿韩元），进行设备投资。此一金额比年初宣布数字高出37%，也比该公司去年的设备投资总额高出53%。

SK海力士增加投资，是想让新厂提前完工。该公司主管Lee Myung-young说，生产DRAM的中国无锡厂和生产NAND Flash的韩国清州（Cheongju）厂，原定完工时间是2019年上半年，如今将提早至2018年第四季，比预定时间提早半年。

SK海力士强调，新厂落成后，存储器产出不至于暴增，估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%，呼吁市场放心。业界人士认为，这是因为资金多用于技术升级。

然而存储器业者大手笔投资，仍让研究机构表示担忧。有机构18日新闻稿称，根据存储器以往的市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝/闪迪、武汉新芯（XMC）/长江存储（Yangtze River Storage）都大举提高3D NAND Flash产能，未来可能还有新厂商加入战场，3D NAND Flash产能过多的可能性“非常高”（very high）。

此外，DRAM和NAND的价格涨势也逐渐放缓。尽管DRAM均价涨势在2016年第四季触顶，但是直到2017年Q2仍表现强健。

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