三星SK海力士投资额创新高！外资：DRAM不致过剩

来源：MoneyDJ新闻原作者：郭妍希 2017-08-03 08:19:30

看好DRAM、NAND型快闪存储器的发展，三星电子(Samsung Electronics Co.)、SK海力士(SK hynix Inc.)传出今(2017)年的投资额，将刷新历史新高纪录。

韩联社2日报导，消息显示，三星、SK海力士今年的投资额将高达30万亿韩元(相当于267亿美元)。其中，三星已在上半年对设备投资了12.5万亿韩元，直逼去年一整年的投资额度13.1万亿韩元；专家估计，三星今年的投资总额或许会攀升至20万亿韩元，而V-NAND型快闪存储器、影像传感器和晶圆代工业务将是投资重点。

SK海力士也决定在今年对设备投资9.6万亿韩元，希望能扩充DRAM和NAND型快闪存储器产能，比稍早预定的7万亿韩元还要高出一些。SK海力士一名主管说，这些投资旨在满足市场对DRAM、NAND型快闪存储器日益增多的需求，另外也是为长远的未来做打算。

不少人担忧，三星、SK海力士投资大增，恐怕会让产能过剩，最终导致供给过多、报价下滑。美国存储器大厂美光(Micron Technology)最近就因为市场忧心供需失衡，股价连番下挫，自7月24日起跌迄今，股价已重挫逾11%。

不过，barron`s.com 1日引述TheFlyontheWall报导，美系外资分析师Christopher Danely发表研究报告指出，美光股价近来虽因市场担忧存储器产能过多而下滑，但今年增加的DRAM资本支出(从89亿美元上升至99亿美元)其实并不多，不致于会导致产业景气降温。

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