2018年底推出96层3D NAND后 英特尔/美光将分道扬镳?

英特尔（Intel）和美光（Micron）合作研发NAND Flash多年，8日宣布准备拆伙，将在完成第三代3D NAND研发之后，正式分道扬镳。

Anandtech、Barronˋs报导，英特尔和美光12年前成立合资公司IM Flash Technologies，发展NAND。英特尔资助研发成本，并可分享NAND销售收益。不过两家公司NAND策略迥异，英特尔的NAND几乎全用于企业市场的固态硬盘（SSD）。美光除了销售SSD、也供应NANDFlash芯片。

目前两家公司的3D NAND制程，进入第二代，可堆叠64层，正在研发第三代，预料可堆叠96层，预计在2018年底、2019年初问世。此一制程之后，英特尔和美光将各走各的路。

Anandtech猜测，也许是NAND堆叠层数破百之后，需要调整String Stacking的堆叠方式，两家公司对此看法不同，因而分手。另一个可能是，目前3D NAND的生产主流是电荷储存式（Chargetrap），三星电子等都采用此一方式，英特尔／美光是唯一采用浮闸（floatinggate）架构的业者。也许是两家公司中有一家想改采电荷储存式架构，但是此举等于坦承失败，代表从2D NAND转换成3D NAND后，续用浮闸是错误决定，因而闹翻。

值得注意的是，两家公司仍会继续共同研发3D XPoint存储器，此一技术被誉为打破摩尔定律的革命技术。

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