Q1不看淡Q2提前旺 2018力成NAND产能至少增加20%

存储器封测厂力成昨日召开法说会，展望今年营运，总经理洪嘉鍮预期首季虽有季节性淡季调整，但DRAM及FLASH需求仍持稳正向，预期首季淡季效益低于往年、营运仍正向看待，且旺季效益可望于第二季提前显现，全年营运估可维持逐季成长态势。

洪嘉鍮指出，今年将持续扩充NAND FLASH产能，预计至少增加2成，覆晶封装（Flip Clip）产能则预期将倍增。此外，公司也已获得2家虚拟货币挖矿机客户，正式加入挖矿机商机战场。发言人曾炫章则表示，力成去年资本支出约新台币150亿元，今年估低于此数字。

展望今年，洪嘉鍮认为，全球经济成长估与去年相当，而台湾地区半导体今年成长可望回升，包括物联网（IoT）、高速运算（HPC）、数据中心（Data center）、汽车电子等，将是驱动成长主动能。

洪嘉鍮认为，终端产品中的PC、手机需求因季节性因素而较疲弱，但数据中心建置升级需求续强，娱乐、机顶盒、人工智能（AI）、5G、物联网等产品需求积极，通讯及汽车电子产品的需求亦正向。

在服务器及数据中心需求强劲、消费性DRAM的新应用增加、移动DRAM随移动设备搭载容量增加，DRAM首季需求仍稳健。而移动设备eMCP/eMMC的季节性需求、固态硬盘（SSD）渗透率续增、3D NAND产能增加，亦使FLASH首季需求稳健成长。

洪嘉鍮表示，力成首季DRAM业务整体需求稳健，虽有淡季影响，但主攻标准型DRAM的西安厂产能仍满载，行动式存储器虽有淡季影响，但仍接获不少急单，绘图存储器需求亦稳定。

洪嘉鍮指出，消费性DRAM市场将是兵家必争之地，力成正积极争取客户订单，以巩固既有优势。此外，去年许多客户因买不到DRAM，导致多芯片封装（MCP）出货状况不如预期，但今年状况已好转，将对力成营运有正向帮助。

FLASH业务方面，洪嘉鍮指出，客户转进3D NAND的产能已逐渐开出，去年第四季占比约3～4成，今年首季已提升至5～6成，随着产能增加，可望带动FLASH封测需求，对力成首季FLASH业务正向看待。

整体而言，洪嘉鍮预期力成首季营收虽将受季节性因素影响，但淡季效益可望低于往年，淡季不看淡，且第二季旺季效益可望提前显现，预期全年营运仍可望维持逐季成长态势，对今年营运仍乐观看待。同时，也看好日本市场具发展潜力，希望能成为未来成长区域。

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