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专家解析:2018年DRAM和NAND Flash市场状况

来源:工商时报    原作者:刘佩真    

继2017年DRAM、NAND Flash双双呈现价量齐扬,推升全球半导体销售额强劲成长,并首度超越4,000亿美元大关之后,2018年DRAM、NAND Flash价格则呈现两样情,出现一涨一跌的局面,其中的关键则是供给端的部分,特别是国际大厂是否突破制程瓶颈,将攸关整体市场的供需结构。

首先在DRAM市场方面,2018年Samsung将DRAM产线转换为影像传感器产线,使DRAM投片量减少,不过减少的部分将由华城16产线与平泽1厂二楼的增设投资弥补,但整体而言,2018年Samsung的新增DRAM产能仍是有限,加上SK Hynix的新厂产能恐须待2019年才可望量产,甚至来自于中国DRAM产能的开出,仍有相当的疑虑,因而2018年全球DRAM供给端的增加依旧在可控制的范围内。而2018年全球DRAM需求端除手机配备持续提高之外,资料中心布建需求亦是推动来源,更重要的是,虽然中国对于挖矿热提出重罚,不过比特大陆将推出以太矿机,一个特殊应用集成电路芯片就需搭载172颗1 GB的DDR3晶粒,藉以提升运算效能来看,仍有利于2018年全球DRAM的需求表现。

总而言之,由于2018年底前国际三大DRAM厂新产能开出极为有限,仅靠制程微缩增加的部分,因此2018年以来全球DRAM价格仍延续2016年下半年以来上扬的走势,不管是首季或是第二季,DRAM价格季增率均达到5~10%,显然DRAM市况优于年初预期。

另外2018年DRAM市场值得留意的尚有中国发展的态势,尽管中国在无技术授权来源、存储器人才短缺之下,2018年底~2019年中国要进入存储器国产化的量产恐有疑虑;不过为此,中国官方也频频出招,即中国反垄断机构已经盯上Samsung、SK Hynix与Micron等三家DRAM大厂,甚至传出恐面临8亿~80亿美元的罚款,表面上虽是在解决中国终端应用厂商面临存储器飙涨的窘境,但实际上恐是预留未来中国存储器厂争取谈判的筹码;事实上,因先前中国智能手机企业饱受存储器产品短缺的困恼,且存储器对国家信息安全的重要性高,更何况存储器为中国实现半导体自给率提升的重要关键产品,特别是受到中兴通讯事件的影响,更加激起中国发展半导体核心产品的动能,故中长期来说,中国势必会竭尽所能积极发展存储器,此决心仍不容忽视。

其次在NAND Flahs市场方面,尽管受惠于智能手机搭载容量与服务器需求的带动,以及SSD渗透率提高,拉抬对于NAND Flash的需求,但2018年以来全球NAND Flash市场已呈现供过于求的局面,主要是国际大厂加速更高层堆叠及四阶储存单元(QLC)产品开发,以求提升3D NAND储存密度及降低生产成本,故以32G(4G*8)MLC(美元/个)收盘价而言,则由2017年8月的3.10美元/个降至2018年5月的2.74美元/个,甚至2018年第三季全球NAND价格恐难以反转向上,主要系因更多64层和72层3D NAND产能相继释出,甚至单颗容量更大、成本更具竞争力的3D-QLC Flash技术,预计最快2018年下半迈入量产所致。

值得一提的是,Toshiba存储器标售案已于2018年5月中旬获得中国核准,整体交易案确定于2018年6月1日完成,也意谓Bain Capital、SK Hynix、日本政策投资银行(DBJ)及日本产业革新机构(INCJ)等将陆续入主,美日韩联盟俨然成立,但复杂的股权交易与多头马车式资本组成,是否能有效提升Toshiba存储器在全球NAND Flash的市场竞争力,以及未来Toshiba存储器如何与WD继续合作,运用此结盟关系,将有待后续观察。

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