据报道，三星研发出采用铜柱的移动HBM封装技术

近日，三星电子正研发新一代高带宽内存封装技术，旨在为移动终端搭载高性能端侧人工智能能力。据业内消息透露，三星在现有垂直铜柱堆叠技术基础上，研发多层堆叠扇出晶圆级封装方案，融合超高深宽比铜柱与扇出晶圆级封装工艺。

传统移动低功耗内存封装普遍采用铜线键合工艺，仅支持128至256个输入输出端口，存在信号损耗偏高、散热与能效表现不足等短板。三星此前推出的垂直铜柱堆叠技术，以阶梯式堆叠排布存储芯片并通过铜柱实现互联，此次新技术是在该架构上的进一步迭代。

三星将封装铜柱深宽比由原先3-5:1提升至15-20:1，大幅提升数据带宽。但微米级细铜柱易出现弯折断裂问题，企业通过结合扇出晶圆级封装制程，以塑封布线结构为铜柱提供支撑。新技术可在同等面积下扩容输入输出端口，带宽有望提升15%至30%，内存堆叠容量增幅超1.5倍。

目前该技术仍处在研发阶段，量产及商业化落地时间暂未敲定。业内观点认为，其有望后续应用于猎户座2800迭代版本或猎户座2900处理器。同时有分析指出，服务器与数据中心高带宽内存需求持续旺盛，或分散研发资源，放缓移动端高带宽内存商业化节奏。

除三星外，SK海力士也在加快布局智能手机、扩展现实设备专用半导体封装技术。公司正研发高带宽存储封装方案，将低功耗内存与闪存垂直堆叠于应用处理器旁，采用垂直扇出封装工艺，以柱状互联替代传统铜线键合，布线密度与传输速度显著提升，可更好支撑终端日益增长的AI算力负载需求。