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【存储器】业界观点:明年DRAM持穩 NAND承压较大

来源:台湾经济日报    原作者:简永祥    

针对存储器市场明年动向,包括南亚科、力晶、华邦电和威刚等,一致认为明年DRAM相对持稳,但储存型快闪存储器(NAND Flash)因供给增加,相对压力会较大。

南亚科总经理李培瑛表示,从供需面分析DRAM市况,整体需求除个人计算机受英特尔处理器缺货变量干扰外,目前服务器、手机市场还是很健康,消费性电子需求也不差。

李培瑛强调,国际情势将是本季、甚至明年最大变量。不过,DRAM供应商端理性控制产出,加上需求前景不悲观,预估明年价格不会急遽下跌,应会呈现缓跌走势。

威刚董事长陈立白则表示,明年DRAM因主要芯片制造商增产有限,价格仍会持稳;NAND Flash受各大厂军备竞赛未歇,预料价格跌幅不亚于今年,预期NAND Flash上游厂商明年有一半以上无法盈利。

华邦电总经理詹东义也强调,存储器应用领域增广,随边缘运算需求增加,加上AI(人工智能)和5G,让更多产品智慧化,都为存储器产业增添动能。

不过,十铨科技仍持保守态度,认为国际变量加大,DRAM供给增加,NAND Flash增幅更大,预估明年DRAM跌幅至少三成、NAND Flash跌幅更大,因此备货已大幅降低,避免遭受跌价损失风险。

图片声明:图片来源正版图片库:拍信网

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