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【存储器】SK海力士第7座半导体厂动工 预计2020年正式完成

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

随着NAND Flash快闪存储器及DRAM价格不断下跌,2019年存储器市场将迎接逆风。而为了应付降价导致的损失,包括存储器大厂三星、SK海力士(SK Hynix)及美光都计划减少资本支出。

不过,降低成本支出并不意味着他们不再建设工厂了,就在本周,SK Hynix正式开工建设第7座半导体工厂──M16厂,总投资不低于15万亿韩元(约133亿美元)。虽然还没确定最终生产NAND Flash还是DRAM,但是这座晶圆厂确定将会采用最先进的EUV光刻技术。

2018年10月份,SK Hynix才刚完成最新的M15工厂兴建,并且在日前正式进入量产,且该工厂是2015年SK Hynix宣布将斥资的46万亿韩元投资计划中的一部分。M15工厂位于韩国忠清南道的清州市,投资额高达15万亿韩元,以生产3D NAND Flash为主,初期以生产现在的72层堆叠3D NAND Flash,2019年开始,就会转到96层堆叠的3D NAND Flash上。

至于新动工的M16厂,在本周正式举行开工典礼之后,预计2020年正式完成,总投资额还没确定。不过,也确定不会低于15万亿韩元。其中,基础设施建设就要3.5万亿韩元,占地达30英亩。这座工厂最终会以生产DRAM还是NAND Flash为主,目前尚未确定。对此,SK Hynix表示,要看落成时的市场需求以及工厂的技术水准来决定。

虽然,还不确定要生产什么样的产品,不过有一点可以肯定,那就是M16工厂将会用上最先进的EUV光刻技术。事实上,存储器跟逻辑芯片不同,虽然对EUV光刻技术的需求没那么高,不过三星、SK Hynix仍会依计划,在未来使用EUV技术生产存储器。而相对于韩国两大存储器厂的做法,美系厂商美光对EUV使用的态度就显得比较保守。之前曾经宣布,在未来2代的存储器生产中都将不会用到EUV光刻技术。

而除了韩国之外,SK Hynix在无锡也有生产DRAM的晶圆厂。无锡厂目前的一期工程产能在每月10万到12万片之间,是全球重要的DRAM芯片基地之一。而SK Hynixy在2018年初期,还宣布将投资86亿美元在无锡建设第2座存储器工厂,预计完成后存储器产能将达到每月20万片。

另外,日前有韩国媒体报导,目前韩国政府正在推动大型半导体制造群体,预计在10年内投资超过120万亿韩元,并纳入4家大型半导体工厂及50家上下游材料及设备供应商。其中,SK Hynix就允诺,将依据计划在韩国境内再兴建一座大型半导体工厂。因此,在当前半导体景气面临逆风的状态下,韩系存储器厂的扩张计划将不会有所改变。

图片声明:封面图片来源于正版图片库:拍信网

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