EN CN
注册

【存储器】新产能Q2后发酵 NAND Flash跌价压力仍在

来源:台湾中时电子报       

由于NAND Flash价格去年大跌,导致三星、SK海力士、东芝及西数、美光及英特尔等四大阵营在去年底减少晶圆产出,下修今年资本支出并推迟96层3D NAND扩产计划,的确让第一季NAND Flash价格出现缓跌情况。不过,随着上游原厂96层3D NAND新产能将在第二季后开出,加上三星、美光、东芝等新厂在下半年量产,业界预估供给过剩及跌价压力仍在。

去年上半年因为64层及72层3D TLC NAND产能开出,且单颗NAND Flash容量上看256Gb/512Gb,与2D NAND制程的单颗NAND Flash容量仅128Gb/256Gb相较几乎翻倍,也因此,去年NAND Flash价格一路走跌,去年底每GB价格跌破0.1美元并创下新低纪录,NAND Flash厂也面临营业利益明显缩水压力。

为了减缓NAND Flash跌价走势,包括三星、美光等上游原厂在去年底减少晶圆产出,并下修今年资本支出及推迟96层3D NAND新产能开出速度。但因苹果iPhone销售不佳,智能型手机生产链进入库存调整,需求端明显进入衰退,让上游原厂减少供给的意图大打折扣,第一季NAND Flash价格续跌,只是跌幅略有缩小。

市场虽然预期智能型手机生产链第二季库存去化完成后将重启NAND Flash采购,且供给端并无新产能开出,价格应可持稳,但因各家NAND Flash上游原厂将在第二季开出96层3D NAND新产能,且下半年后新厂也将加入量产,模组业者对NAND Flash价格看法仍然保守,预期跌价情况恐会持续到今年中。

据业界消息,各家NAND Flash原厂的新厂将在下半年后进入量产阶段,其中规模最大的是三星的西安厂第二期,第三季将量产512Gb容量96层3D NAND。美光Fab 10第三期预期会在今年第四季进入量产,投产产品以512Gb容量96层3D NAND为主。至于东芝及西数合资的Fab7将在会下半年完工,明年第一季512Gb容量96层3D NAND会开始进入量产阶段。

集邦科技DRAMexchange指出,今年第一季NAND Flash市场均价季度跌幅可能达20%,第二季报价可能将续跌将近15%,下半年有旺季需求挹注,跌幅可望略微收敛。

如需获取更多资讯,请关注全球半导体观察官网(www.dramx.com)或搜索微信公众账号(全球半导体观察)。