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【存储器】南茂可望受惠存储器转单效应 今年业绩看增1成

来源:台湾中央社       

半导体封测大厂南茂今年可望受惠美系存储器厂转单效应,与紫光合作上海宏茂亏损可望收敛。法人估南茂今年业绩可望成长1成,每股纯益可超过新台币2元。

展望南茂今年整体营运,法人报告指出,南茂虽然可持续受惠面板驱动整合触控单晶片(TDDI)封测价格调整;不过今年第1季存储器价格下滑、市场终端需求趋缓,预估南茂今年第1季业绩恐季减1成。

第2季开始预期美系存储器客户标准型动态随机存取记体(DRAM)封测可持续放量,法人预估南茂第2季业绩可望季增1成,订单能见度最快可在5月之后明朗。

受惠中美贸易摩擦影响,法人指出美系存储器厂商开始将部分封装订单转移到南茂,包括部分DRAM和快闪存储器(Flash)封装订单。

在中国大陆布局,南茂先前与中国紫光集团合资经营孙公司上海宏茂,法人指出,目前上海宏茂晶圆来源主要来自客户的NOR型快闪存储器、紫光存储的3D NAND订单,以及小部分美系厂商快闪存储器订单。

法人预估上海宏茂今年亏损规模可望收敛,预估南茂今年认列亏损可在1亿人民币之内。

展望今年,法人预估南茂今年整体业绩可望年增1成,毛利率可超过19.2%,每股纯益可超过新台币2元。

南茂先前预期,今年第1季业绩可望符合季节性淡季表现落底,第2季开始可望逐季增温,预估下半年业绩表现走扬,主要在存储器封装出货可明显放量,今年下半年驱动IC封测产能可望填满。

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