韩媒：SK海力士完成12层混合键合HBM验证

据外媒The Elec报道，SK海力士混合键合工艺HBM产品良率实现改善，不过公司并未披露具体良率数值。SK海力士技术负责人金钟勋表示，采用混合键合技术的12层堆叠HBM产品已完成验证，目前公司正全力提升工艺良率，为后续量产做准备。其同时坦言，相较于两年前，企业当前在技术储备与量产准备层面已有大幅提升。

行业普遍预期，混合键合技术将率先应用于HBM4产品，随着16层堆叠HBM逐步商业化落地，该项工艺有望从2026年下半年至2027年迎来规模化导入。

报道同时指出，在现有技术条件下，混合键合仍面临成本效益层面的现实挑战。为此，SK海力士计划持续精进回流成型底部填充（MR-MUF）技术，在全面普及混合键合工艺前，先依托成熟技术满足客户订单需求。目前企业已具备基于HBM3E架构、最高适配16层堆叠高度标准的工艺能力。

随着HBM技术迭代升级，堆叠层数持续增加，制造工艺复杂度同步攀升。封装技术也随之迭代演进，从热压非导电膜（TC-NCF），到MR-MUF，再到如今的混合键合工艺，每一代技术升级均有效改善芯片翘曲问题，同步提升生产效率。

据悉，TC-NCF与MR-MUF工艺均通过在DRAM裸片间设置微型金属凸点，借助热压方式完成互连封装；而MR-MUF工艺借助助焊剂等防护材料，有效解决了传统TC-NCF工艺存在的翘曲及芯片损伤痛点。

设备采购动向也印证了SK海力士混合键合技术的推进节奏。今年4月初The Elec援引业内消息称，SK海力士上月采购了由应用材料与Besi联合研发的混合键合量产成套设备，整套设备造价约200亿韩元，折合1500万美元，整合了应用材料CMP化学机械抛光、等离子处理设备与Besi混合键合机，也是SK海力士首套面向量产的混合键合设备。

除此之外，SK海力士还计划尽快引入韩华Semitech研发的混合键合设备，用于产品品质测试。