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【存储器】円星开发台积电28纳米嵌入式快闪存储器制程IP

来源:台湾中时电子报       

円星科技M31昨(17)日宣布,将在台积电)28纳米嵌入式快闪存储器制程技术开发SRAM Compiler IP,这些IP解决方案将能协助设计人员提升在行动装置、电源管理、物联网,车用电子等应用的SoC功耗表现,此系列硅智财预计于今年第3季提供客户设计整合使用。

M31董事长林孝平表示,随着网络传输频宽的不断加大,资料运算与储存需求日增。M31在台积电领先业界的28纳米嵌入式快闪存储器制程开发的IP,除了可以缩短设计周期,同时能降低SoC功耗并提高效能,可广泛应用于高速的资料处理、电源管理,物联网、车用电子,以及行动通讯等产品的设计上。

此次M31以台积电28纳米嵌入式快闪存储器制程技术开发的SRAM Compiler IP功能齐全,支援多种节能模式,使用者可依据不同操作状态,切换到当下最佳省电模式,来延长行动元件电池的使用时间,以提供客户更多元的产品运用。基于优异的技术特性,此系列IP可以完全整合在嵌入式快闪存储器制程平台上,预计今年第3季提供知名国际大厂采用。

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