EN CN
注册

【存储器】SK海力士重庆二期存储芯片封测项目将于Q3投产

来源:全球半导体观察       

日前,重庆西永微电园消息称,SK海力士位于重庆的二期存储芯片封装测试项目将于今年第三季度投产。

2013年5月,SK海力士在重庆西永微电园设立SK海力士半导体(重庆)有限公司,投资建设NAND Flash存储芯片封装测试生产线。该项目一期投资3亿美元,2014年正式投产。2017年9月,SK海力士与重庆签署有关二期项目的谅解备忘录,二期追加注册资本2.5亿美元,累计投资额将达12亿美元,2018年上半年开工。

据重庆西永微电园透露,SK海力士二期1.6万平方米主体建筑已建成,预计6月中旬进行设备安装,三季度陆续投产。投产后,项目合计产能是现在的2.5倍,芯片年产量将占到整个SK海力士闪存产品的40%以上, 成为SK海力士全球海外最大封装基地。

图片声明:封面图片来源于正版图片库,拍信网。

如需获取更多资讯,请关注全球半导体观察官网(www.dramx.com)或搜索微信公众账号(全球半导体观察)。