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【存储器】SK海力士第2季净利年衰退88% 将下修产能和投资

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

韩国存储器大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况,因为受到存储器价格持续低迷,以及日韩贸易摩擦等因素的冲击,净获利较2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2存储器产线的投资之后,也宣布该公司的生产调整计划。

根据SK海力士所公布的资料显示,2019年第2季的营收为6.5万亿韩元,较2019年下滑38%。营业利益则是来到6,380亿韩元,较2018年同期大幅下滑了89%。净利则是来到5,370亿韩元,较2018年同期的4.3万亿韩元大跌了88%,也低于市场原本预估的8,280亿韩元的金额。

Source:SK海力士

面对2019年第2季成绩单,再加上接下来市场有更多不确定因素围绕之下,SK海力士也宣布,2020年的资本支出将会明显低于2019年。

除此之外,在DRAM产能部分,将自2019年第4季开始下调,至于NAND Flash快闪存储器方面,产能的减幅也会从之前宣布的10%,扩大至15%的比率。而SK海力士的调整产能计划,也将连带重新审视韩国两座晶圆厂的扩产时间。

SK海力士表示,在DRAM方面,由于SK海力士积极的因应行动和PC市场对大容量产品日益增加的需求,DRAM bit出货较上季增加了13%,但是在市场价格持续疲软的情况之下,平均销售价格下降了24%。

另外,2019下半年服务器DRAM需求依然低迷,行动型DRAM市场的不确定性增加。然而,PC对图形DRAM的需求从2019年第2季末开始恢复,预计这种趋势将延续到下半年。

而在NAND Flash快闪存储器方面,因为NAND Flash快闪存储器价格下跌后,刺激需求复苏,bit出货量较第1季成长40%,但平均销售价格下降了25%。预计到2019下半年,随着市场需求的复苏,将加快原厂库存消耗,有助于平衡供需失衡的市况,同时也将减缓价格下滑的速度。

至于,在存储器的技术发展上,SK海力士指出,计划继续开发下一代技术,并大量销售高附加值的产品。其中,DRAM将由10纳米级第一代的1x纳米,向第二代的1y纳米技术精进,到2019年底前生产比例将增加到80%,并开始在下半年销售PC市场所需的10纳米级第二代1y纳米DRAM。

而NAND Flash方面,目前主要技术是72层堆叠的3D NAND Flash,计划在2019下半年透过增加96层4D NAND Flash的比例,专注于高端智能手机和SSD市场需求。此外,128GB(1Tb)TLC 4D NAND将开始大规模生产和销售。

图片声明:封面图片来源于正版图片库:拍信网

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