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【存储器】新突破!三星量产100+层V-NAND 未来还有300层

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8月6日,三星电子宣布已开始批量生产250千兆字节(SATA)固态硬盘(SSD),该硬盘集成了该公司的第六代(1xx层)256Gb,适用于全球PC OEM的三位V-NAND。通过在短短13个月内推出新一代V-NAND,三星已将批量生产周期缩短了四个月,同时确保了业界最高的性能,功效和制造生产率。

三星电子解决方案产品与开发执行副总裁Kye Hyun Kyung说:“随着下一代V-NAND产品的开发周期加快,我们计划快速扩展我们的高速,高容量512Gb V-NAND解决方案的市场。”

具有100多层设计的唯一单堆栈3D存储器芯片

三星的第六代V-NAND具有业界最快的数据传输速率,充分利用该公司独特的制造优势,将3D内存提升到新的高度。

利用三星独特的“通道孔蚀刻”技术,新型V-NAND可将先前9x层单层结构的单元数量增加约40%。这是通过构建由136层组成的导电模具堆叠,然后从顶部到底部垂直穿透圆柱形孔来实现的,从而产生均匀的3D电荷捕获闪光(CTF)单元。

随着每个单元区域中的模具堆叠的高度增加,NAND闪存芯片往往更容易受到错误和读取延迟的影响。为了克服这些限制,三星采用了速度优化的电路设计,使其能够实现最快的数据传输速度,写入操作低于450微秒(μs),读取低于45μs。与上一代产品相比,性能提升了10%以上,同时功耗降低了15%以上。

得益于这种速度优化设计,三星将能够在不影响芯片性能或可靠性的情况下,通过安装三个电流堆栈,提供超过300层的下一代V-NAND解决方案。

此外,创建256Gb芯片密度所需的通道孔数量已从上一代的9.3亿个减少到6.7亿个孔,从而减小了芯片尺寸并减少了工艺步骤。这使制造业生产率提高了20%以上。

利用高速和低功耗特性,三星不仅计划将其3D V-NAND的范围扩展到下一代移动设备和企业服务器等领域,而且还扩展到高可靠性至关重要的汽车市场。

继今天推出250GB SSD之后,三星计划在今年下半年推出512Gb三比特V-NAND SSD和eUFS。该公司还计划从明年起在其Pyeongtaek(韩国)园区扩大更高速和更大容量的第六代V-NAND解决方案的生产,以更好地满足全球客户的需求。

参考:三星V-NAND批量生产时间表

注:本文根据三星网文章编译,原文链接:https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-takes-3d-memory-to-new-heights-with-sixth-generation-v-nand-ssds-for-client-computing

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