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【存储器】格芯针对人工智慧应用推出12LP+ FinFET解决方案

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

才与台积电进行专利诉讼官司和解,并签订10年交互授权协议的晶圆代工大厂格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布,与IC设计厂SiFive正在合作研发将高频宽存储器(HBM2E)运用于格芯最近宣布的12LP+FinFET解决方案,以扩展高性能DRAM。12LP+FinFET解决方案将提供2.5D封装设计服务,可加速人工智能(AI)应用上市时间。

格芯表示,为了实现资料密集AI训练应用的容量和频宽,系统设计师面临在同时保持合理的功率标准下,将更多的频宽压缩到较小区域的艰钜挑战。因此,格芯的12LP平台和12LP+解决方案,搭配SiFive的定制化高频宽存储器介面,能使高频宽存储器轻松整合到系统单芯片(SoC)解决方案,从而在运算和有线基础设施市场中,为AI应用提供快速、节能的数据处理。

另外,作为合作的一部分,设计人员还能使用SiFive的RISC-V IP产品组合和DesignShare IP生态系统,运用格芯12LP+设计技术协同优化(DTCO),大幅提高芯片的专门化,改善设计效率,在迅速又具成本效益的情况下提供差异化的SoC解决方案。

格芯进一步指出,旗下的12LP+是一款针对AI训练和推理应用的创新解决方案,为设计人员提供高速、低功耗的0.5Vmin SRAM存取单元,支持处理器与存储器之间快速、节能的数据传输。此外,用于2.5D封装的新中介层有助于将高频宽存储器与处理器整合在一起,以实现快速、节能的数据处理。

目前,格芯正在位于美国纽约州马尔他的8号晶圆厂,进行SiFive用于12LP和12LP+的HBM2E介面和客制IP解决方案的开发。客户将可在2020年上半年开始进行优化芯片设计,开发针对高性能计算和边缘AI应用的差异化解决方案。

图片声明:封面图片来源于正版图片库:拍信网

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