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【存储器】2020年5G手机及资料中心需求提升 DRAM现货价格触底反弹

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,在当前各家厂商库存数量下跌,加上资料中心需求持续强劲,以及2020年第1季5G手机市场对于DRAM需求扩大的情况下,近3个月连续走跌的DRAM价格已经触底反弹。

其中,DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的产品上涨了2.88%,而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的产品也上涨了1.04%,显示了DRAM市场从下跌状况走缓,甚至已经开始反弹回温。

有报告显示,2020年在5G智能手机、资料中心等需求的提升,使得业者开始加大对于DRAM的采购力道。

其中,在5G智能手机方面,因为旗舰机种将搭载6G到12G的DRAM,相较4G高端旗舰款手机搭载3G到6G DRAM的规格而言,容量要增加许多,使得市场开始对DRAM的需求增加。

除了在需求面的提升之外,外资报告还指出,韩国存储器龙头三星目前在DRAM生产方面已经开始导入1z纳米制程,三星期望可以透过制程微缩,提升单位生产数量。

此外,到第三代10纳米级的1z纳米制程后,由于未来微缩空间减少,使得成本效益递减,加上三星逐渐导入EUV生产DRAM,生产成本随之提高,这样不仅形成进入产业的高门槛,也限制了未来扩产比例,导致预期供货将维持在一定数量,厂商难以大量收到货源,形成价格的预期上扬。而这对于整体DRAM产业来说,也会是较为健康的发展。

封面图片来源:拍信网

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