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【存储器】三星终于下定决心,80亿美元闪存芯片项目落户西安

来源:中国电子报    原作者:顾鸿儒    

从“尚未决定”到“最终落户”,三星电子第二阶段二期投资终于落户西安。据最新消息,三星电子在西安的闪存芯片项目二期投资80亿美元落地。在今年5月份,三星电子曾表示,尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划,具体情况将取决于市场状况。

第二阶段80亿美元投资正式启动

12月10日,三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。据了解,这是三星电子在西安闪存芯片项目二期第二阶段投资。

2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目,一期投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目,于2014年5月竣工投产。

二期项目总投资150亿美元,2018年3月正式开工建设,主要制造闪存芯片。其中,第一阶段投资约70亿美元,明年3月竣工投产;第二阶段投资80亿美元,2021年下半年竣工。据了解,三星电子闪存芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元,带动一批配套电子信息企业落户。

早在2019年5月,“三星电子二期投资即将落地”的传言在业内散开,随后,三星电子公司公开表示,尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划,否认了中国国内媒体的报道。并表示第二期投资情况将取决于存储市场的走势。

“铠侠的跳电事件导致产能下降,加上各厂商的减产等因素,NAND Flash的单价有所回升。”分析师杨俊刚对《中国电子报》记者说。

存储芯片回暖,三星二阶段提前落地

2019年年初,闪存芯片价格大幅下跌,全球许多知名闪存制造商,选择放缓扩张计划,并宣布减产。经过了一年的价位下滑,年底存储市场或将迎来止跌反弹。据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新预测,2019年第三季度,NAND Flash厂商营收季增10%,约达到119亿美元。

“明年闪存市场回暖,需求量增加,三星在此时加快扩产在情理之中。”市场分析师黄阳棋对记者说。

11月25日,据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)发布最新预测报告,称三星电子在新产能方面,西安二期仍依规划于2020年上半年投产。十五天后,三星电子二期第二阶段的投资落地,比分析机构预测的提前。

杨俊刚表示,提前决定二厂的投资,将会引进新设备,快速的扩充产能,应对市场的需求。三星这个投资将会增加新制程产能,继续巩固三星存储器龙头的地位,继续加大中国存储器市场份额。

“由于三星在韩国的12厂和16厂,设备比较陈旧,未来应对新的市场机遇将会减产,提升新制程,将产能往西安和平泽转移,届时西安厂将会持续扩大产能,预计达到18万片/月。”杨俊刚说。

“西安将成为三星的主要NAND生产基地,三星的扩产将进一步加大三星在NAND领域的市场份额,扩大优势地位。三星西安工厂的扩产将带动国内下游的存储产业发展。”黄阳棋说。

封面图片来源:拍信网

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