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【存储器】西安三星电子闪存芯片项目二期80亿美元投资落地

来源:全球半导体观察       

日前,西安三星电子闪存芯片项目再次取得重要突破。12月10日,该项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。

据西安晚报报道,三星电子一期投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目。二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片。其中,第一阶段投资约70亿美元,明年3月竣工投产;第二阶段投资80亿美元,2021年下半年竣工。

二期项目建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户,使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

2012年,西安高新区成功引进三星电子存储芯片项目,成为了三星海外投资历史上投资规模最大的项目,项目一期于2014年5月竣工投产,项目二期于2018年3月正式开工建设,其中第一阶段投资70亿美元。

陕西省委常委、西安市委书记王浩表示,三星电子决定启动二期项目第二阶段投资,有利于西安市做大电子信息产业、加快建设先进制造业强市步伐,也有利于三星电子巩固产业优势地位。

图片声明:封面图片来源于正版图片库:拍信网

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