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【存储器】三星华城厂区跳电 影响DRAM、NAND Flash及LSI部分业务

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

根据外电的报导,韩国半导体厂商三星电子旗下位于华城的工厂发生了跳电事故,影响了DRAM、NAND Flash,以及采用EUV技术的系统半导体生产部分。

根据外电报导指出,三星电子位于韩国华城的工厂,在2019年12月31日发生了短暂的跳电情况,使得华城厂区内的部分工厂短暂停产。整个跳电的时间约1分钟,之后立即恢复了供电,目前三星正在积极的进行产线检查,在了解受损程度之后,以便在最短时间内恢复生产。

据了解,这次三星电子华城厂区的跳电事件,影响的是生产DRAM的Line 12产线,以及生产Nand Flash的Line 13产线,另外还有以EUV(extreme ultraviolet)技术进行生产的LSI(large-scale integration)部分。

根据市场人士估计,由于是生产DRAM的Line 12产线,以及生产NAND Flash的Line 13产线都属于制程比较落后的产线,因此受影响较大的部分的将会是在以EUV来生产系统半导体的领域,整体损失金额可能达到3,000万美元。

至于,会发生跳电的原因目前并不清楚。只是,以中国台湾的晶圆厂为例,在供电方面多半都设计有两套回路,分别由两个不同的变电所来供电,以降低因意外而发生跳电的风险。不过,如果发生大规模的天然灾害,例如地震而导致电厂停止运转的情况,这部分就另当别论。因此,这次韩国三星华城厂区在无发生重大天然灾害情况下,却发生跳电的情况,这个过程就必须好好地确认。

至于,这次的跳电事件是否会影响市场上DRAM及NAND Flash的价格,就如同2019年6月份,日本存储器大厂东芝在三重县四日市的厂区发生跳电,造成市场供货冲击的状况,目前还不得而知。

不过,日前三星才宣布,将在未来10年内投资超过千亿美元以发展系统半导体业务,已达成未来登上全球系统半导体业务龙头的计划,会不会因为这样的断电事件而受到影响,未来还需要进一步的观察。

封面图片来源:拍信网

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