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【存储器】三星加速开发160层或更高堆叠层数的3D NAND Flash

来源:全球半导体观察       

当前,3D NAND Flash快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为128层,不过三星正在研发更高层数的快闪存储器。

据韩国媒体《ETnews》近日报道,三星目前正在开发具有160层或更高层的第7代V-NAND快闪存储器,并且在相关技术方面已经取得重大进展。

《ETnews》指出,三星的第7代V-NAND快闪存储器将采用“双堆叠”的技术来达到更多堆叠层的目的。就现阶段来说,如果完成160层堆叠的V-NAND快闪存储器开发,将成为业界最高堆叠层数的产品。

报导进一步指出,在存储器产业中,这称为3D NAND Flash的快闪存储器,三星则是称为V-NAND快闪存储器。堆叠层数的多少是3D NAND Flash快闪存储器厂商的核心竞争力,而目前三星是被公认为业界技术最先进的厂商。另外,三星在2019年也以166.7亿美元(约20万亿韩圜)的营收,在全球3D NAND Flash快闪存储器市场上成为龙头,市占率达到35.9%。

值得一提的是,尽管新冠肺炎疫情爆发,三星仍在继续进行存储器生产与研发的投资,其中包括对西安的NAND Flash快闪存储器工厂进行扩产。除了三星之外,韩国另一个存储器大厂SK Hynix也在2019年宣布了发展规划,并且在2020年恢复了存储器产品的投资。由于存储器为韩国的重要产业,因此预计未来的投资还将持续扩大。

封面图片来源:拍信网