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【存储器】全国人大代表:尽快启动国家存储器基地二期投资建设 支持长江存储上市

来源:全球半导体观察       

据长江日报报道,在全国两会上,刘江东等多位全国人大代表联名建议,支持武汉加速建设国家存储器基地。

报道指出,代表们建议,在发展战略上更加聚焦国家存储器基地建设,尽快成立国家集成电路产业投资基金,成立相关工作协调领导小组,抢占时间窗口,加速推进项目建设。以更大力度推进国家存储器基地建设,确保项目一期后续资金如期及时到位,以超常举措推进生产设备进场装机和原材料供应,力争项目一期2020年底实现产能10万片/月的原计划目标不变,并尽快启动项目二期投资建设。

同时,代表们还建议,强化国家存储器基地发展资本保障,国家有关部门要支持长江存储整体上市或拆分上市,支持武汉新芯改制上市,为项目在资本市场发债、上市提供绿色通道,尽快实现资产证券化。

长江日报指出,该项目分三期建设,项目二期技术水平达到世界一流,初步形成规模经济。

2016年2月,武汉国家存储器基地项目落户武汉东湖新技术开发区。2017年10月,长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式,成功设计制造了中国首款3D NAND闪存;2019年9月,搭载长江存储自主创新Xtacking架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。

2020年1月16日,在长江存储召开的市场合作伙伴年会上,杨士宁曾表示,长江存储已规划2020年将提供嵌入式存储、固态硬盘(SSD)等完整解决方案产品,面向更多通讯、系统整机客户根据项目方案。下一步,长江存储的第三代产品将跳过96层,直接上128层堆叠闪存。

封面图片来源:长江存储官网