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【存储器】预计2021年量产 传SK海力士将在1anm DRAM中引入EUV技术

来源:TechNews科技新报    原作者:Atkinson    

在当前因为市场不确定因素增加,以及新冠肺炎疫情恐将影响存储器后续市场发展的情况下,主要存储器厂商皆不轻易扩增产能,反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。因此,根据韩国媒体报导,存储器大厂SK海力士(SK Hynix)的相关内部人士透露,该公司已开始研发第4代10纳米级制程(1a)的DRAM,内部代号为“南极星”(Canopus),而且预计将在制程中导入EUV曝光技术。

报导指出,目前SK海力士最先进的DRAM产品主要以10纳米等级的1Y及1Z制程技术为主,这是属于第2代及第3代的10纳米等级制程。该公司计划在2020年下半年将这两种制程技术的生产比重提高到40%。此外,SK海力士还将继续发展新一代的DRAM制程技术。

报导进一步强调,“南极星”(Canopus)将是SK海力士至今的最关键发展计划之一,因为这是该公司首度应用EUV曝光技术来生产DRAM。不过,报导也引用韩国一位消息人士的说法指出,目前SK海力士当下最重要的问题,是公司是能否透过使用EUV曝光技术来确保其产品的有效竞争力。

事实上,之前有媒体报导指出,SK海力士的竞争对手三星已在2020年3月份宣布,已出货了100万个由第4代10纳米等级,内含EUV曝光技术所生产的DDR4 DRAM模组,并预计将在2021年开始正式大量生产,而且,未来该公司接下来的几代的DRAM产品将会全面导入EUV曝光技术,这消息对SK海力士来说将会是充满着竞争性。因此,SK海力士计划旗下的首款第4代10纳米等级DRAM将在2021年推出,这也将使得届时以EUV曝光技术的存储器生产市场竞争将更加激烈。

封面图片来源:拍信网