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【存储器】2021年量产 三星拟投建新NAND Flash生产线

来源:全球闪存市场       

6月1日,三星电子 (Samsung Electronics) 宣布,将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始,将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。

据三星官方消息指出,新工厂位于韩国平泽2号线内,计划于2021年2月量产,将专门用于制造三星最先进的V-NAND存储器。

在不久前,5月21日,三星电子官方宣布了将在平泽市再投建一条全新的晶圆代工生产线,以满足全球对极紫外光刻技术 (EUV) 的需求。时隔10天,三星再次宣布新的NAND Flash产线投资计划。

虽然官方暂未公布具体投资金额,但业界推测该新晶圆代工生产线和NAND生产线的投资规模,或分别达到10万亿和8万亿韩元。

三星电子表示,此次投资旨在应对随着人工智能 (AI)、物联网 (IoT) 、以及5G的普及而带来的NAND需求。业者认为,三星电子近期连续宣布的投资计划,尤其是在目前新冠疫情重创全球经济的情况下,反映出其欲在全球闪存市场继续拉大优势的决心。

目前,EUV晶圆代工生产和NAND闪存生产所需的洁净室已在着手建设中,争取在2021年下半年可以投产5纳米EUV芯片及V-NAND闪存产品。

封面图片来源:三星电子官网