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【存储器】三星高端存储芯片二期第一阶段项目预计第三季满产

来源:全球半导体观察       

据新华社报道,三星(中国)半导体有限公司一季度进出口额为278.67亿元,相较去年同期增加45%,二期项目第一阶段预计在今年第三季度实现满产。

三星(中国)半导体有限公司副总裁池贤基介绍称,疫情期间,三星半导体存储芯片二期项目第一阶段正处于设备调试期。为了确保产品顺利下线,西安高新区建立了重大外资项目专班机制,通过包机帮助三星接回700多名工程师,还从湖北帮忙运回了关键原材料。

资料显示,三星西安二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片,分两个阶段进行,其中第一阶段项目总投资70亿美元,预计2020年3月竣工投产;第二阶段投资80亿美元,已于去年年底启动建设,预计2021年上半年实现量产。

2020年3月10日,三星(中国)半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品正式下线上市。至于第一阶段的产能,韩国媒体曾报道称,三星计划每月生产6.5万片NAND闪存芯片,但该数字并未得到三星中国的确认。

据此前的消息指出,三星高端存储芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户,使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

封面图片来源:拍信网