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【存储器】预计今年9月份开工、明年底量产,三星将建设新的半导体工厂

来源:全球半导体观察       

据韩国媒体报道,三星电子准备在韩国平泽新建一个大型半导体生产基地,并计划在9月份启动工厂建设。

报道指出,三星P3工厂的生产制造规模将比P2工厂增加50%,预计将采取“综合半导体工厂”的形式,同时生产DRAM,NAND闪存和系统半导体,并有望采用最新工艺。P3工厂预计将在2021年第三季度竣工,投入量产时间将从2021年底开始。

三星电子是全球最大的存储器厂商,根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)此前发布的NAND Flash和DRAM厂商营收排名显示,2020年第一季度,三星电子在NAND Flash和DRAM市场的营收分别为45.01亿美元和65.37亿美元,均排名第一。

目前,三星电子在韩国平泽设有名为“P1”和“P2”的半导体工厂,其中P2是新工厂,已于去年竣工。

6月初,三星电子曾宣布,将在京畿道平泽工业园区投建先进的NAND Flash闪存生产线。该扩建工程于今年5月开始,将为2021年下半年大规模生产三星的尖端V-NAND存储器铺平道路。据三星官方当时消息指出,新工厂位于韩国平泽2号线内,计划于2021年2月量产,将专门用于制造三星最先进的V-NAND存储器。

封面图片来源:拍信网