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【存储器】三星12英寸闪存芯片二期一阶段项目竣工投用

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7月1日,西安高新区重点项目集中开工、竣工仪式举行,据西安高新区消息,此次集中竣工投用仪式的项目共有25个,总投资560亿元,包括三星12英寸闪存芯片二期一阶段项目,西安高新区发文指出,这些项目的顺利投产,将为高新区半导体产业发展注入更强大的动能,进一步巩固高新区全球半导体产业基地的地位。

资料显示,三星存储芯片项目2012年落户西安高新区,一期项目于2014年5月竣工投产,总投资108亿美元,建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目;二期项目总投资150亿美元,主要制造闪存芯片,分两个阶段进行,其中第一阶段项目总投资70亿美元;第二阶段投资80亿美元,已于去年年底启动建设,预计2021年上半年实现量产。

2020年3月10日,三星(中国)半导体有限公司高端存储芯片二期第一阶段项目产品正式下线上市。

据此前的消息指出,三星高端存储芯片二期项目建成后将新增产能每月13万片,新增产值300亿元,解决上千人就业,并带动一批配套电子信息企业落户,使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

封面图片来源:拍信网