EN CN
注册

【存储器】已成功量产!兆易创新推出全国产化24nmSPINANDFlash

来源:全球半导体观察       

“兆易创新GigaDevice”官方公众号消息,10月15日兆易创新正式推出全国产化24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品——GD5F4GM5系列。

图片来源:兆易创新

兆易创新透露,从设计研发、生产制造到封装测试所有环节,GD5F4GM5系列均为纯国产化与自主化产品,并已成功量产,这标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代!

据悉,该产品采用串行SPI接口,引脚少、封装尺寸小,在集成了存储阵列和控制器的同时,还带有内部ECC纠错算法,擦写次数可达5万次,提高可靠性的同时延长产品使用寿命。

同时,与上一代NAND产品相比,GD5F4GM5系列大大提升了读写速度,最高时钟频率达到120MHz,数据吞吐量可达480Mbit/s,支持1.8V/3.3V供电电压,能够满足客户对不同供电电压的需求;同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

封面图片来源:兆易创新