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【存储器】美光量产176层3D NAND快闪存储器

来源:全球半导体观察       

11月10日,存储器大厂美光科技(Micron)宣布,全球首款176层3D NAND快闪存储器已正式出货,藉此将实现前所未有、领先业界的储存容量和效能。预计透过美光新推出的176层3D NAND快闪存储器技术及先进架构,可大幅提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能。

美光指出,176层3D NAND快闪存储器是美光第五代3D NAND产品,以及第二代替换闸(Replacement Gate)架构,是市场上技术最先进的NAND节点。

与上一代的高容量3D NAND相比,美光176层3D NAND快闪存储器的读取延迟和写入延迟改善超过35%,可大幅提高应用的效能。此外,美光的176层3D NAND快闪存储器设计精巧,是小尺寸解决方案的理想选择。

美光技术与产品执行副总裁Scott DeBoer表示,美光的176层3D NAND快闪存储器为业界树立了新标竿。而且结合美光的CuA(CMOS-under-array)架构,该技术使美光得以维持在产业中的成本领先优势。

美光进一步指出,新推出的176层3D NAND快闪存储器提供更好的服务品质(QoS),此为资料中心SSD的关键设计标准,可以加速资料密集环境和工作负载,例如资料库、人工智能引擎、以及大数据分析等。对5G智能手机而言,强化的服务品质(QoS)使其能更快地在多个应用程式之间进行载入和转换,创造更流畅且快速的手机使用体验。

美光强调,随着摩尔定律的放缓,美光在3D NAND产品上的创新对确保业界跟上不断增加的资料需求至关重要。为了实现此里程碑,美光独家结合其堆叠式替换闸架构、崭新的电荷捕捉储存方式以及CuA(CMOS-under-array)技术。美光3D NAND专家团队亦利用公司的CuA专利技术取得飞快的进展,在芯片逻辑上建造多层次堆叠,使更多存储器能够装入更紧密的空间,并大幅度地缩小了176层NAND快闪存储器的晶粒尺寸,进而使每个晶圆达到更高的GB。

美光176层3D NAND快闪存储器目前已于美光新加坡晶圆厂量产,并透过Crucial消费型SSD产品系列向客户出货。美光预计于2021年度推出采用此技术的其他新产品。

图片来源:Micron