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【存储器】SK海力士M16厂发生泄漏事故

来源:全球半导体观察整理       

据韩国经济日报报道,4月6日上午11:35,位于京畿道利川市的SK Hynix M16半导体制造工厂5楼发生事故,导致三名工人受伤。M16工厂是此前竣工的DRAM生产工厂。SK海力士表示,此次事故是在对新的M16工厂设备进行检查时发生的,对半导体生产没有影响。

在三名受伤人员中,一名工人的胳膊和腿被烧伤。另有两名雇员因吸入氟酸气体而被转移至附近医院。据报道,3名员工均无生命危险。

警察认为,氢氟酸在维护公司正在试用的环境分析设备时泄漏。

封面图片来源:拍信网